深圳市昊天晟科技有限公司

原装环保现货VISHAY MOS管IRF740PBF

品牌/商标:Vishay/威世通 型号/规格:IRF740PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道

原装VISHAY场效应三极管IRF9640PBFTO-220AB

品牌/商标:Vishay/威世通 型号/规格:IRF9640PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-P-FET锗P沟道

原装IR N道沟MOS IRFP150N TO-247AC

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFP150N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道

原装现货肖特基MBRF20H100CTGON TO-220F

品牌/商标:ON/安森美 型号/规格:MBRF20H100CTG 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道

原装现货 AO晶体场效应管AO3422 SOT-23

品牌/商标:AO 型号/规格:AO3422 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

AO 场效应管AO4474 SOP-8

品牌/商标:AO 型号/规格:AO4474 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

原装IR MOS管 IRLML2502TRPBF SOT-23

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRLML2502TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道

DODIES 原装现货 N道沟MOSFET 2N7002-7-F

品牌/商标:DODIES 型号/规格:2N7002-7-F 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:AM/调幅 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道

原装仕兰场效应管SVF12N65 TO-220F

品牌/商标:SL 型号/规格:SVF12N65 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:P-FET硅P沟道

原装IRF场效应管IRF3205PBF TO-220AB

品牌/商标:IR 型号/规格:IRF3205PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GaAS-FET砷化镓

原装仕兰高压场效应管 SVF7N65TO-220F

品牌/商标:SL 型号/规格:SVF7N65 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道

原装IR场效应管IRF640NPBF TO-220

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF640NPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GaAS-FET砷化镓

原装东芝场效应管TK20D60TTO-220

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:TK20D60T 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MW/微波 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

原装KIA 现货场效应管KIA7N80H TO-220F

品牌/商标:KIA 型号/规格:KIA7N80 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GaAS-FET砷化镓

AO SOP8 大电流低内阻 MOS管 AO4407

封装外形:SMD(SO)/表面封装 型号/规格:AO4407 材料:P-FET硅P沟道 用途:MOS-FBM/全桥组件 品牌/商标:AOS/美国万代 沟道类型:P沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

原装VISHAY场效应管IRFL110TRPBFSOT-223

封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 型号/规格:IRFL110TRPBF 材料:N-FET硅N沟道 用途:A/宽频带放大 品牌/商标:Vishay/威世通 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,MOSFET N 通道，金属氧化物,MOSFET N 通道，金属氧化物 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:耗尽型

原装 ST MOS管 STW3N150

型号/规格:STW3N150 材料:N-FET硅N沟道 用途:A/宽频带放大 品牌/商标:ST/意法 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

EMC 12V-700V MOS管 EMB37N06A TO-252

封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 型号/规格:EMB37N06A 材料:GE-P-FET锗P沟道 用途:AM/调幅 品牌/商标:EMC 沟道类型:P沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:耗尽型

AO P沟道MOS管 AO3409 SOT-23

封装外形:SMD(SO)/表面封装,SMD(SO)/表面封装 型号/规格:AO3409 材料:P-FET硅P沟道,P-FET硅P沟道 用途:S/开关,S/开关 品牌/商标:AOS/美国万代 沟道类型:P沟道,P沟道 种类:绝缘栅(MOSFET),绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型,增强型

仕兰 MOS 管 7N65

封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:7N65 材料:GE-N-FET锗N沟道 用途:A/宽频带放大 品牌/商标:仕兰 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型