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原装环保现货VISHAY MOS管IRF740PBF
品牌/商标:Vishay/威世通 型号/规格:IRF740PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道
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HYNIX 随机储存器H5TQ2G63DFR-H9CBGA
类型:其他IC 品牌/商标:HYNIX/海力士 型号/规格:H5TQ2G63DFR-H9C 功率:1 用途:仪器 封装:BAG 批号:12+
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电源IC 原边反馈AP8012A CHIPOWN DIP
类型:电源模块 品牌/商标:CHIPPOWER 型号/规格:AP8012A 电源电流:1 电源电压:1 功率:1 针脚数:8 用途:仪器 封装:DIP 批号:12+
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开关电源IC OB2263 SOT23-6
类型:电源模块 品牌/商标:OB昂宝 型号/规格:OB2263 电源电流:1 电源电压:1 功率:1 针脚数:6 用途:仪器 封装:SOT23-6 批号:12+
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原装ON 贴片单二极管/齐纳84C9V1LT1G SOT-23
产品类型:其他 是否进口:否 品牌/商标:ON/安森美 型号/规格:84C9V1LT1G 材料:硅(Si) 封装:SOT-23 工作温度范围:1(℃) 功耗:1 针脚数:3 批号:12+
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原装ON 单二极管/齐纳 BZX84C27LT1G SOT-23
产品类型:其他 是否进口:是 品牌/商标:ON/安森美 型号/规格:BZX84C27LT1G 材料:硅(Si) 封装:SOT-23 工作温度范围:1(℃) 功耗:1 针脚数:3 批号:10+
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原装 ON 双系列开双二极管 BAV99LT1G
产品类型:开关管 是否进口:是 品牌/商标:ON/安森美 型号/规格:BAV99LT1G 材料:硅(SI) 封装:SOT-23 工作温度范围:0(℃) 功耗:0 针脚数:0 批号:12+
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供应原装 ON 快恢复二极管 MUR1660 TO-220A
产品类型:快恢复二极管 是否进口:是 品牌/商标:ON/安森美 型号/规格:MUR1660CGT 材料:硅(Si) 封装:TO-220A 工作温度范围:1(℃) 功耗:1 针脚数:3 批号:12+
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超快恢复二极管MUR460 VISHAY DO-201A
产品类型:快恢复二极管 是否进口:是 品牌/商标:Vishay/威世通 型号/规格:MUR460 材料:硅(Si) 封装:DO-201A 工作温度范围:125(℃) 功耗:1 针脚数:2 批号:12+
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原装通华芯 THX203H-7V 电源模块 DIP-8
类型:电源模块 品牌/商标:THX 通华芯 型号/规格:THX203H-7V 功率:700 封装:DIP-8 批号:13+
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原装VISHAY场效应三极管IRF9640PBFTO-220AB
品牌/商标:Vishay/威世通 型号/规格:IRF9640PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-P-FET锗P沟道
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原装ST 双向可控硅 BTA08-600CRG TO-220
品牌/商标:ST/意法 型号/规格:BTA08-600CRG 控制方式:双向 极数:三极 封装材料:塑料封装 封装外形:平板形 关断速度:普通 散热功能:带散热片 频率特性:中频 功率特性:中功率 额定正向平均电流:8(A) 控制极触发电流:1(mA) 稳定工作电流:8(A) 反向重复峰值电压:600(V)
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原装环保双向可控硅4A600VBT136-600ENXP
品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BT136-600E 控制方式:双向 极数:三极 封装材料:塑料封装 封装外形:平板形 关断速度:普通 散热功能:带散热片 频率特性:中频 功率特性:中功率 额定正向平均电流:4(A) 控制极触发电流:1(mA) 稳定工作电流:4(A) 反向重复峰值电压:600(V)
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原装IR N道沟MOS IRFP150N TO-247AC
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFP150N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道
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单向可控硅BT151-500RNXP TO-220
品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BT151-500R 控制方式:单向 极数:三极 封装材料:塑料封装 封装外形:平板形 关断速度:普通 散热功能:带散热片 频率特性:中频 功率特性:中功率 额定正向平均电流:1(A) 控制极触发电流:15(mA) 稳定工作电流:-(A) 反向重复峰值电压:500(V)
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原装现货肖特基MBRF20H100CTGON TO-220F
品牌/商标:ON/安森美 型号/规格:MBRF20H100CTG 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道
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原装现货 AO晶体场效应管AO3422 SOT-23
品牌/商标:AO 型号/规格:AO3422 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道
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AO 场效应管AO4474 SOP-8
品牌/商标:AO 型号/规格:AO4474 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道
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原装IR MOS管 IRLML2502TRPBF SOT-23
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRLML2502TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道
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DODIES 原装现货 N道沟MOSFET 2N7002-7-F
品牌/商标:DODIES 型号/规格:2N7002-7-F 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:AM/调幅 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道